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ddr2(ddr3 区别)

ddr2(ddr3 区别)

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1、DDR3技术简介

2、DDR3 SDRAM使用SSTL 15的I/O接口,以便节省更多的功率和更有效地传输。工作I/O电压为1.5V,采用CSP和FBGA封装。

3、除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制模式外,还增加了CWD、复位、ZQ、SRT、RASR等更复杂的功能。

4、

5、DDR3存储器的技术改进

6、逻辑库数量:DDR2 SDRAM有4个库和8个库,是为了满足未来大容量芯片的需求而设计的。DDR3很可能从2Gb容量开始,因此初始逻辑存储区是8个。

7、此外,它还为未来的16逻辑银行做好了准备。

8、封装:DDR3有一些新功能,所以管脚会增加。8位芯片采用78引脚FBGA封装,16位芯片采用96引脚FBGA封装,DDR2采用60/68/84引脚FBGA封装。

9、突发长度:由于DDR3的预取为8bit,所以突发长度(BL)也固定为8,BL=4也常用于DDR2和早期的DDR架构系统。

10、DDR3增加了4位突发斩波模式,即使用BL=4的读操作和BL=4的写操作来合成BL=8的数据突发传输。此时,这种突发模式可以由A12地址线控制。

11、寻址时序:DDR3的延迟在5到11之间,附加延迟(al)的设计也有变化。

12、降低功耗:在DDR3实现高带宽的同时,可以降低其功耗,其核心工作电压在DDR2从1.8V降低到1.5V。相关数据预测,DDR3将比目前的DDR2节省30%的功耗。

本文到此结束,希望对大家有所帮助。